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脉冲激光沉积PLD镀膜设备
产品简介
该设备运用脉冲激光镀膜(PLD)的薄膜沉积技术,通过脉冲激光快速蒸发靶材,生成与靶材组成相同的薄膜。借着连续溶化混杂的靶,制造不同物质的多层膜,透过控制脉冲的数量,可以精密调节薄膜厚度至单原子层。
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该设备运用脉冲激光镀膜(PLD)的薄膜沉积技术,通过脉冲激光快速蒸发靶材,生成与靶材组成相同的薄膜。借着连续溶化混杂的靶,制造不同物质的多层膜,透过控制脉冲的数量,可以精密调节薄膜厚度至单原子层。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料,可以制做陶瓷氧化物(ceramic oxide)、氮化物膜(nitride films)、金属多层膜(metallic multilayers),以及各种超晶格(superlattices)。

薄膜生长原理:
PLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态,然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。

特点:
►   一束激光能够供多个真空系统使用,节约成本。
►   在10至15分钟,可生长高质量的样品,实现高效率镀膜。
►   作为一种“数字”技术,可在纳米尺度上进行工艺控制(A/pulse)。
►   沉积膜保留了靶的化学计量成分,生长出与靶子同样化学组成的膜。
►   通过控制镀膜压力和温度,可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。
►   能量源(脉冲激光)位于真空室的外面,在材料合成时,工作压力的动态范围很宽,达到10-10 Torr ~ 100 Torr。

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型号 HCPLD-80 HCPLD-120 HCPLD-180 HCPLD-240
腔室直径 8英寸 12英寸 18英寸 24英寸
真空系统 分子泵 + 干式机械泵
压力(Torr) <10-8 <10-8 <10-8 <10-8
最高样品温度 950℃ 950℃ 850℃ 850℃
极限真空度 5.0×10-5 Pa 5.0×10-5 Pa 5.0×10-5 Pa 5.0×10-5 Pa
靶材数量 4个1’’ 6个1’’或3个2’’ 6个1’’或4个2’’ 6个1’’或4个2’’
转架 公自转 公自转 公自转 公自转
自转速度 0~60转/分 0~60转/分 0~60转/分 0~60转/分

适用材料:高温超导、记忆性材料、氧化物半导体材料、铁磁性材料三五族材料
主要用于制备氧化物薄膜、超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等;可以镀制单层膜或者多层膜。

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